반도체 공정에서 사용되는 나노세라믹스

메카덱 > 문서박스 > 신공학 | 2007/05/07

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저작시기 : 2007/01
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소개글

본자료는 반도체 공정에서 사용되는 나노세라믹스에 대하여 조사한 것으로 레포트 자료로 활용하세요.

실리콘 기판에 산화막 패턴 제조 과정
미세 가공의 한계는?
Polishing과 관련한 오해
CMP 슬러리의 분류 및 제법
CMP 공정 적용 사례
대표적 CMP 공정
나노 입자 제조 방법
증발응축법 (Physical Vapor Deposition) /(IGC: Inert gas condensation
반응의 열원(熱原)으로 선택할 수 있는 장치(I)

본문내용

미세 가공의 한계는?

회절현상으로 선폭이 흐려져 선명하지 못하게 됨.
파장의 절반정도가 정밀도의 한계
회절을 최소화 하려면 파장이 짧은 광선이 필요:
광원으로 Eximer laser 사용
장래에 파장이 10-100nm인 방사광 이용가능성이 있음.

축소투영시의 또 다른 문제: 표면에 요철이 있으면 초점이 일치시키기 어려움.
표면 정밀 가공이 요구됨.
화학기계적 연마(Chemical Mechanical Polishing)가 대두되는 이유.

반도체의 집적도 증대
▷ 칩의 3차원적 구조화
▷ 다층 배선 구조 필요

다층구조제조 과정
마스크(회로 패턴이 인쇄된 원판)과 초점을 맞춘 집속광을 이용하여 감광판에 회로 패턴 형성
배선재료 증착
절연층 증착
다시 패턴화된 배선 증착

다층화 공정 반복 중 증착 표면 평활도 감소, 초점거리 이탈 가능성증가

증착표면의 거칠기를 초점거리 이내로 하기 위해 표면을 정밀 가공

참고자료

참고자료 없음

학교정보

2주간 다운받은 학생의 학교정보를 보여줍니다.(5P 소요)



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planarization, 반도체, 집적, Photolithography, abrasive