소개글

반도체 기본공정교육을 수료한후
Si Base 반도체의 전체적인 Device 제작 과정과
각 공정별 이론 및 원리, 실습 결과 등을 정리한 자료로서
반도체 입문 초보자들에게는 유용한 자료가 될 것입니다.

목차

1. 반도체 Device 제작 과정(Si Base)
2. Oxidation
3. Photo
4. Etch(Dry Etch)
5. Metallization
6. CVD
7. Ion Implantation

본문내용

1. 반도체 Device 제작 과정(Si Base)
- p-type Si 기판에 산화막을 성장시킨다(Furnace).
※화합물은 CVD공정을 거쳐 산화막을 형성한다.
- Spin Coater를 통해 PR을 도포한다 .
.....

2. Oxidation
- Si Substrate에 dopant를 implant or diffusion 시킬때 보호막
역할 수행
- Device간의 Electricaly Isolation 기능(Field Oxide)
.....

3. Photo
- 반도체 Device 제작 공정은 여러 재질(Oxide, Metal, Impurity,
etc)을 원하는 패턴으로 여러 층을 형성해 가는 과정을 말한다.
.....

4. Etch ......
5. Metallization......
6. CVD ......
7. Ion Implantation......

  반도체 , 공정 , Device , Si , Photo

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