1. 트랜지스터의 구조와 동작
(1) 트랜지스터의 내부
(2) 트랜지스터에 흐르는 전류
(3) 내부에서 전자의 움직임
2. 트랜지스트의 특성 표시
(1) 전압 전류 특성
(2) 최대 정격
3. 간단한 트랜지스터 회로
4. 형명의 표시법
5. 트랜지스터의 외관
6. 트랜지스터의 리드
7. 트랜지스터의 이용
8. 전기장 효과 트랜지스터
본문내용
트랜지스터(TR : transistor)의 구조는 pn접합 2개를 맞대어 붙인 형태로 되어 있으며, pnp형과 npn형이 있다. 그림의 트랜지스터 기호에서 화살표를 한 것은 이미터와 베이스의 접합이 순방향으로 바이어스 되었을 때의 전류가 흐르는 방향을 표시한 것이다. 여기서는 npn형에 대해서 설명하기로 한다.
트랜지스터를 동작시키기 위해서는 위의 그림과 같이 C-B 접합에 역방향 전압을 가하고 E-B 접합에 순방향 전압을 가하는 것이 중요하다. 순방향 전압이 가해진 E-B 접합에서는 이미터 쪽에서 많은 전자가 공핍 층을 넘어 확산 현상으로 베이스층으로 유입된다. 유입된 전자의 일부분은 베이스층의 다수 반송자인 정공과 재결합하여 베이스 전류가 되지만, 대부분의 전자는 베이스 층이 얇기 때문에 확산하는 거리가 짧아 곧 C-B 접합에 도착한다. C-B 접합에 도착한 전자는 공핍 층의 전기장에끌려 컬렉터 층으로 들어가서 컬렉터 단자에 도착한다. 그러므로 이미터 전자는 베이스를 지나 컬렉터로 흐르고, 그 양은 B-E 접합의 순방향 전압 VBE에 의해 자유롭게 조절할 수 있다.
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