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[표면분석] TOF-SIMS
park1999 > 문서박스 > 기본 폴더 | 2005/01/03 구매(30) ㅣ 조회(1,392)
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목차 1. 서론
2. SIMS원리및이론
3. SIMS분석의 종류
4. SIMS분석 기술
5. SIMS분석문제점
6. 결론
본문내용 1. 서 론

SIMS장비에서는 일차이온으로 표면을 때리는 동안 방출하는 양이온 혹은 음이온을 분석하는데, 이와같은 SIMS를 이용하여 화학적 성분과 표면구조를 얻어낼 수 있다.
TOF-SIMS는 고분자 기술에서 발생하는 중요한 문제를 풀기위한 배경을 제공하며 거대 분자들의 이온 스퍼터링에 대한 기초연구에 중점을 두고 있다.
고분자의 TOF-SIMS 스펙트럼은 고분자 형태, 작용기, 반복단위, 말단기, 그리고 가지친 사슬의 데이터를 얻어 고분자를 확인할 수 있고 oligomer 분포와 평균 분자량을 얻을수 있으며, 고분자 표면의 불순물등 여러 가지 형태의 중요한 정보를 제공한다.

가. SIMS란?
Secondary Ion Mass Spectrometry : 이차이온질량 분석법
1~20 KeV의 운동 에너지를 가진 일차이온빔을 고체시료 표면에 충돌시켜, 고체 표면이나 내부의 원자들을 이온화 상태로 Sputtering한 후 생성된 이차이온을 analyzer에 통과시켜 에너지와 질량에 따라 분리하여 검출하는 분석법이다.
한편 sputterd원자의 탈출깊이는 대략 10Å정도로 알려져 있으며 SIMS는 10Å정도의 표면층으로부터 방출되는 원자를 이용한다.
Sputtering 이란 일차 이온빔의 충격으로 표면층의 원자들이 이온이나 중성입자의 형태로 떨어져나가는 현상이다.
 
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SIMS, 표면분석, Secondary Ion Mass S

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