목차

1. 웨이퍼 제조 및 회로 설계
가. 단결정 성장
나. 실리콘 봉 절단
다. 웨이퍼 표면 연마
라. 회로 설계
마. 마스크 제작
2. 웨이퍼 가공
가. 웨이퍼 생산
나. 산화 (Oxidatipn) 공정
다. 감광액 (Photoresist) 도포
라. 노광 (Exposure)
마. 현상 (Development)
바. 식각 (Etching)
사. 이온 주입 (Ion Implantation)
아. 화학 기상 증착 (Chemical Vapor Deposition)
자. 금속배선 (Metallization)
3. 조립 및 검사
가. 웨이퍼 자동 선별
나. 웨이퍼 절단
다. 칩 접착
라. 금 (金) 선 연결
마. 성형 (Molding)
바. 최종 검사

본문내용

1. 단결정 성장에서 웨이퍼 표면 연마
1. Preparation of Charge
단결정을 성장시키는데 필요한 주원료인 Poly-Si과 Dopant를 준비하고 관리하는 작업을 말한다. Poly-Si은 크게 Chuck Poly(덩어리)[그림1]와 Granule Poly(알갱이)[그림2]를 사용하며, Granule Poly는 300mm 웨이퍼 제조시에는 필수적으로 쓰이는 원재료이다. Dopant는 Ingot의 Type( N-Type or P-Type)을 결정지으며, 원료는 P-Type에는 B(붕소), N-Type에는 P(인), Sb(안티몬)등이 사용된다. 석영 도가니(Quartz Crucible)내에 원재료인 Poly-Si을 쌓아 올리는 작업을 Stacking이라 하며, Poly-Si이 완전히 용해(Melt Down) 하는데 많은 시간이 소요된다. Stacking은 먼저 석영 도가니에 Dopant를 넣고, Poly-Si의 가장 작은 조각을 석영 도가니 중간에 위치하게 하고, 중간 정도의 크기를 맨윗 부분에 놓으며, Stacking이 끝난 후, 그 모양이 돔(Dome)형태가 되도록 한다.

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