소개글

Prob. 1) Please read the Moore’ paper “ramming more components onto integrated circuits”
Electronics, Vol. 38, No 8, April, 1965. [10pts]
(a) What are the things that Moore predicted correctly?

(b) What are the things that Moore predicted incorrectly?

Prob. 2) Why is polysilicon used instead of metal for the gate a MOSFET? What are the advantages or disadvantages of having polysilicon to having metal such as aluminum? [10pts]

Prob. 3) What is the amount of variation in the mobility of electrons and holes as temperature
increases from 0 °C ~ 100 °C? (i.e. μn(T=0)/μn(T=100) = ? μp(T=0)/μp(T=100) = ? Which do
you think is the worse case design condition: 0 °C or 100 °C? [10pts]

에 대한 답입니다.

10점 만점 과제입니다.

목차

Prob. 1) Please read the Moore’ paper “ramming more components onto integrated circuits”
Electronics, Vol. 38, No 8, April, 1965. [10pts]
(a) What are the things that Moore predicted correctly?

(b) What are the things that Moore predicted incorrectly?

Prob. 2) Why is polysilicon used instead of metal for the gate a MOSFET? What are the advantages or disadvantages of having polysilicon to having metal such as aluminum? [10pts]

본문내용

무어의 법칙은 컴퓨터 집적회로에 집적 할 수 있는 트랜지스터의 수가 대략 2년 마다 2배로 증가한다는 것으로 그 때 가격은 동일하다는 것인데, 컴퓨터 하드웨어 역사에서 가장 중요한 법칙으로 일컫어 진다. 이 법칙은 인텔의 창시자 Gordon E. Moore 에 의해 1965년 발표되었고, 50년 동안 깨지지 않는 법칙으로 남았다. 메모리 저장능력, LCD 화면 화소, 컴퓨터 처리 속도 등이 이 법칙에 들어 맞았다.
1965년에 무어는 Electronics Magazine 에 다음과 같은 내용을 발표하였다.
" 동일한 비용으로 집적회로의 집적도는 대략 2년 마다 2배로 늘어났다. 확실히 짧은 기간 동안이라도 이 법칙은 맞을 것이며, 만약 아니더라도 대략 10년 동안은 이 법칙이 확실이 들어맞을 것이다. 이 말은 1975년에는 동일한 비용으로 집적회로의 집적도는 65000 이다. "

<중 략>

Prob. 3) What is the amount of variation in the mobility of electrons and holes as temperature
increases from 0 °C ~ 100 °C? (i.e. μn(T=0)/μn(T=100) = ? μp(T=0)/μp(T=100) = ? Which do
you think is the worse case design condition: 0 °C or 100 °C? [10pts]

Basic Properties
Breakdown field ?3·105V/cm
Mobility electrons ≤1400 cm2 V-1s-1
Mobility holes ≤450 cm2 V-1s-1
Diffusion coefficient electrons ≤36 cm2/s
Diffusion coefficient holes ≤12 cm2/s
Electron thermal velocity 2.3·105m/s
Hole thermal velocity 1.65·105m/s

참고 자료

없음